[发明专利]源极及漏极中聚含掺质金属的晶体管有效
| 申请号： | 200510055915.3 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1670965A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | N·朝德哈伊;李鸿祺 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明关于一种晶体管及其制造方法。一栅极介电质与栅极系形成于一工作部件上，且一晶体管的源极与漏极区域是嵌壁式的，填充一含掺质金属于凹槽中，并利用一低温退火过程来形成掺杂区域于与该含掺质金属区域相邻的工作部件中，进而形成一种具有较小的有效氧化物厚度与良好控制的接合深度的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极中聚含掺质 金属 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其包含：一源极与一漏极，其位于一工作部件中，该工作部件具有一顶部表面，该源极与该漏极是由一信道区域所分隔，其中该源极与漏极各包含一含掺质金属区域与一掺杂区域，该含掺质金属区域是位于该工作部件的该顶部表面内，而该掺杂区域是与各含掺质金属区域相邻而位于该工作部件中；一栅极介电质，其位于该信道区域与该源极与该漏极的一部份上；以及一栅极，其位于该栅极介电质上。
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