[发明专利]磁记录介质和磁存储装置无效
申请号: | 200510055919.1 | 申请日: | 2005-03-18 |
公开(公告)号: | CN1773609A | 公开(公告)日: | 2006-05-17 |
发明(设计)人: | 乡家隆志 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/84 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质,其包括基底、设置在基底上的AlFe基合金层、设置在AlFe基合金层上的底基层、以及设置在底基层上的记录层,并且当在该记录层上记录信息时,沿预定的记录方向对该记录层进行磁化。该基底具有纹理化表面,该纹理化表面具有大致沿该记录方向形成的多个沟槽。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】:
1、一种磁记录介质,该磁记录介质包括基底,其特征在于:AlFe基合金层,设置在所述基底上;底基层,设置在所述AlFe基合金层上;以及记录层,设置在所述底基层上,并且当在该记录层上记录信息时,沿预定的记录方向对该记录层进行磁化,其中所述基底具有纹理化表面,该纹理化表面具有大致沿所述记录方向形成的多个沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510055919.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。