[发明专利]掩模基板的平整度模拟系统有效
申请号: | 200510056072.9 | 申请日: | 2002-05-31 |
公开(公告)号: | CN1652022A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 伊藤正光 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;H01L21/027 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 岳耀锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种掩模基板的平整度模拟系统,可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。该掩模基板的平整度模拟系统包括:取得有关掩模基板的主面的平整性的第一信息的测定基板的平整性的单元;以及取得有关由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置时的模拟得到的有关上述主面的平整度的第二信息的单元。 | ||
搜索关键词: | 掩模基板 平整 模拟 系统 | ||
【主权项】:
1、一种掩模基板的平整度模拟系统,其特征在于包括:取得有关掩模基板的主面的平整性的第一信息的、测定基板的平整性的单元;以及取得由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置时的模拟得到的、有关上述主面的平整度的第二信息的单元。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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