[发明专利]半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管

摘要

提供一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图6(1)中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图6(2)中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。

主权项

1.一种半导体薄膜的制造方法，用于通过辐射激光束到在绝缘衬底上所形成的半导体薄膜上以在半导体薄膜上生长晶粒，该方法包括使激光束成形的步骤，其中在使激光束成形的步骤中，使要辐射到半导体薄膜上的激光束的一部分辐射图案成形为控制图案。