[发明专利]在双栅极FET中制造自对准源极和漏极接触件的方法

摘要

本发明涉及用于在基片(SOI)上形成晶体管结构的方法，该基片包含支持硅层(1)、埋入绝缘层(2)和上硅层(3)，所述上硅层具有上层厚度并包含高掺杂程度，该晶体管结构包含栅极区(G1)，以及源极和漏极区(5)。该方法进一步包括在上硅层(3)上形成栅极区(G1)，栅极区(G1)通过介质层(GD)与上硅层(3)分开，在通过区分氧化物和/或包含层区域(4)而区分的上硅层(3)上形成开口区，通过离子注入形成高程度掺杂或高度破坏的区域(5)，将开口区(O1)暴露给离子束(IB)，其中区分层区域(4)和栅极区(G1)用作注入掩模。离子束(IB)包含束能量和剂量的组合，其允许上硅层(3)中埋入绝缘层(2)中源极和漏极区(5)下高掺杂程度区域(L1)和上硅层(3)中栅极区(G1)下高掺杂程度或高度破坏区(L0)的形成。

主权项

1.一种用于在基片(SOI)上形成晶体管结构的方法，其特征在于，所述结构包括支持硅层(1)、埋入绝缘层(2)和上硅层(3)，所述上硅层(3)具有上层厚度并包含高掺杂程度，所述晶体管结构包括栅极区(G1)，以及源极和漏极区(5)，所述方法包括：所述上硅层(3)上所述栅极区(G1)的形成，所述栅极区(G1)通过介质层(GD)与所述上硅层(3)分开；通过区分氧化物和/或包含层区域(4)区分的所述上硅层(3)上开口区(O1)的形成；通过离子注入进行的高程度掺杂或高度破坏的区域(5)的形成，将所述开口区(O1)暴露给离子束(IB)，其中所述区分层区域(4)和所述栅极区(G1)用作注入掩模，其中所述离子束(IB)包含束能量和剂量的组合，它允许上硅层(3)中所述埋入绝缘层(2)中所述源极和漏极区(5)下高掺杂程度区域(L1)的形成以及所述上硅层(3)中所述栅极区(G1)下高掺杂程度或高度破坏区(L0)的形成。