[发明专利]氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件有效
| 申请号： | 200510056281.3 | 申请日： | 2005-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1677778A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 松山裕司;铃木真二;伊势康介;道上敦生;米田章法 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θb(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体激光元件，在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、含有In的活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，其特征在于，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)。
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