[发明专利]溅射方法及其装置有效
| 申请号： | 200510056364.2 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1670243A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 新井真;石桥晓;小松孝;谷典明;清田淳也;太田淳;中村久三;中村肇;田口信一郎;大石祐一 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 现有的磁控管溅射装置中，在成膜期间，使磁铁装配体连续移动，使靶前方的等离子体摇动，变得容易发生异常放电。为克服上述问题，本发明溅射方法及其装置，对最初处理衬底S成膜结束，把下一个衬底搬运到与靶对向位置的时候，使靶前方形成的磁通相对靶平行移动并保持，在这种状态下成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种溅射方法，用于在与真空室内配置的靶对向位置顺序搬运处理衬底，在该靶前方形成磁通，同时在靶与处理衬底之间形成电场，产生等离子体对靶进行溅射，在处理衬底上成膜，其特征是对处理衬底成膜结束，在与靶对向的位置搬运下一个处理衬底的时候，使上述磁通相对于靶平行移动并保持，在这种状态下成膜。
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