[发明专利]一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法及其产品有效
| 申请号： | 200510056427.4 | 申请日： | 2005-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1838388A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 冯泉林;周旗刚;王敬;刘斌;万关良;张果虎;屠海令 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法及其产品。该方法包括：(1)在Ar/NH3/H2或N2/NH3/H2混合气的气氛中，将硅片加热到1150～1250℃，再将硅片在1150～1250℃条件下保温30～50秒后，以20～100℃/S的降温速率进行降温至常温；(2)按照常规方法进行退火工艺；(3)按照常规方法进行热处理工艺，即获得洁净区的硅片。通过该工艺方法处理硅片，可以在5～40μm自由控制的洁净区厚度，提高吸杂区域的氧沉淀密度，同时降低表面区域的COP密度。本发明的优点在于提出一项稳定的获取洁净区的工艺并且降低COP密度的快速退火方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获得 洁净 硅片 快速 热处理 工艺 方法 及其 产品 | ||
【主权项】：
1、一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法，其特征在于：该方法包括下述步骤：(1)、在Ar/NH3/H2或N2/NH3/H2混合气的气氛中，将硅片加热到1150～1250℃，再将硅片在1150～1250℃条件下保温30～50秒后，降温时，在高温阶段(1250～800℃)的降温速率保持在20～100℃/S；(2)、按照常规方法进行退火工艺；(3)、按照常规方法进行热处理工艺，即获得洁净区的硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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