[发明专利]非易失存储器件及其制造方法

摘要

提供一种非易失存储器件，包括具有在衬底的表面中限定的沟槽中形成的下部分和从下部分突出到衬底表面的上部分的浮置栅极。栅极绝缘层沿着沟槽的内壁形成并插在沟槽和浮置栅极的下部分之间。源区形成在邻接沟槽的第一侧壁的衬底中。控制栅极具有形成在邻接沟槽的第二侧壁的衬底表面上的第一部分和形成在浮置栅极的上部分上方且从第一部分延伸的第二部分。沟槽的第一侧壁与沟槽的第二侧壁相对。栅极间绝缘层形成在浮置栅极的上部分上并插在浮置栅极和控制栅极之间，漏区形成在邻接控制栅极的衬底的表面中并与沟槽的第二侧壁隔开。

主权项

1.一种非易失存储器件，其包括：浮置栅极，具有在限定在衬底表面中的沟槽中形成的下部分和从下部分突出到衬底表面上方的上部分；栅极绝缘层，沿着所述沟槽的内壁形成并插在所述沟槽和所述浮置栅极下部分之间；源区，形成在邻接所述沟槽的第一侧壁的衬底中；控制栅极，具有形成在邻接所述沟槽的第二侧壁的衬底的表面上的第一部分，和形成在所述浮置栅极的上部分上方并从所述第一部分延伸的第二部分，其中沟槽的所述第一侧壁与沟槽的所述第二侧壁相对；栅极间绝缘层，其形成在所述浮置栅极的上部分上并插在所述浮置栅极和所述控制栅极之间；和漏区，其形成在邻接所述控制栅极的衬底表面中并与所述沟槽的第二侧壁隔开。