[发明专利]形成半导体元件及半导体影像感测器的方法

摘要

本发明是提供一种形成半导体元件及半导体影像感测器的方法，具体为改善介电层平坦度与均匀度以增强电荷耦合装置与互补式金属氧化物半导体影像感测器元件中光学效能的方法与系统。所述用以达到较佳光学效能的介电层平坦化方法是包含下列步骤。于多个金属图形之上及其周围沉积一具有透光性的第一介电层，形成光学感测器于这些金属图形之间的基底内或其上，其中金属图形可防止位于其间或其下的感测器遭受电磁辐射的影响。之后以化学机械研磨制程研磨第一介电层而制得一倾斜表面，再进一步以平坦化制程消除此不均匀表面，最终得到一全面性均匀的介电层厚度以利感测器适当地运作。

主权项

1、一种形成半导体元件的方法，其特征在于所述形成半导体元件的方法包括：提供一包含多个金属图形的金属图案于一基底上；沉积一具透光性的第一介电层于该金属图形的上方及于该金属图形间的基底上；研磨该第一介电层；以及形成一第二介电层于该金属图形之上及该金属图形间的第一介电层上方，借以使得该金属图形上的总第一介电层的厚度为实质地相同，且在该金属图形间的基底区域上的总第二介电层厚度为实质地相同。