[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510056704.1 | 申请日： | 2005-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1773690A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/31;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构的制造方法包括：沿着介层窗侧壁的介电材料上所暴露出的孔洞被部分或全面性的密封。之后，在介电材料上形成一或多层阻障层，并将导电材料填充于介层窗中。形成于密封层之上的阻障层具有较为平整连续的表面。该等孔洞可使用例如氩环境下的等离子制程加以部分或全面性的密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，其特征在于所述半导体结构包括：一低介电常数材料层，形成于一基底上；一开口，形成于该低介电常数材料层之中；一保护层，沿着该开口侧壁形成于该低介电常数材料层之上，该保护层的碳浓度较该低介电常数材料层为高；及一导电材料，填充于该开口之中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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