[发明专利]相转移元件及其制造方法与相转移记忆胞有效
| 申请号： | 200510056833.0 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1761083A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李明修;陈逸舟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种相转移元件及其制造方法与相转移记忆胞。该相转移元件，包含一第一接触电极结构，一相转移材料及介于该相转移材料与该第一接触电极结构之间之一第一绝缘材料，以及与该相转移材料接触的一第二接触电极。也包含形成于介于该第一接触电极结构与该相转移材料之间的该第一绝缘材料中的一接触结构。该接触结构是藉由一绝缘材料分解过程形成。也描述一种形成一相转移元件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 元件 及其 制造 方法 记忆 | ||
【主权项】：
1、一相转移元件，其特征在于其包含：一第一接触电极结构；一相转移材料；介于该相转移材料与该第一接触电极结构之间的一第一绝缘材料；与该相转移材料接触的一第二接触电极；以及形成于介于该第一接触电极结构与该相转移材料之间的该第一绝缘材料中的一接触结构，其中该接触结构是藉由一绝缘材料分解过程形成。
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