[发明专利]非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。该非挥发性记忆体，其是由基底、金属闸极层、源极区与汲极区、穿隧介电层、电荷陷入层、阻挡介电层以及通道区所构成。金属闸极层设置在基底上。源极区与汲极区设置于金属闸极层两侧的基底中。穿隧介电层设置于金属闸极层与基底之间。电荷陷入层设置于穿隧介电层与金属闸极层之间，其中电荷陷入层是由多数个电荷陷入区块所构成，且这些电荷陷入区块是由一沟渠所分隔。阻挡介电层设置于电荷陷入层与金属闸极层之间，且填满电荷陷入层中的沟渠。通道区设置于电荷陷入层下方及源极区与汲极区之间的基底中。

主权项

1、一种非挥发性记忆体，其特征在于该非挥发性记忆体包括：一基底；一金属闸极层，设置在该基底上；一源极区与一汲极区，该源极区与该汲极区设置于该金属闸极层两侧的该基底中；一穿隧介电层，设置于该金属闸极层与该基底之间，该穿隧介电层的介电常数大于4；一电荷陷入层，设置于该穿隧介电层与该金属闸极层之间，其中该电荷陷入层是由多数个电荷陷入区块所构成，且该些电荷陷入区块是由一沟渠所分隔，而形成一电荷陷入区块阵列，该电荷陷入区块阵列从该源极区至该汲极区的方向是为列的方向，每一列包括两个电荷陷入区块，每一行则包括n个(n为正整数)电荷陷入区块；一阻挡介电层，设置于该电荷陷入层与该金属闸极层之间，且该阻挡介电层填满该电荷陷入层中的该些沟渠；以及一通道区，该通道区设置在该电荷陷入层下方及该源极区与该汲极区之间的该基底中，该非挥发性记忆体在未写入资料的状态下，同一列的该些电荷陷入区块下方的该通道区具有相同启始电压，不同列的该些电荷陷入区块则具有不同的启使电压。