[发明专利]内存晶胞及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种内存晶胞及其制造方法。该内存晶胞主要包括开关晶体管以及储存区域。其中晶体管设有闸极以及汲极，储存区域设有浅沟渠隔离区域(STI)的沟渠，而位于沟渠中的非绝缘结构的材质例如可为多晶硅或是金属材质，以作为电容结构。利用掺杂的侧壁来定义一部分的沟渠，其中该掺杂的侧壁是为晶体管的源极，且以一介电层使多晶硅与沟渠的侧壁彼此互相分离。进行写入操作时，利用穿透介电层的穿隧机制，使电荷传送至非绝缘结构中，并且利用沟渠侧壁表面上所产生的闸极引发汲极漏电流(GIDL)电流来辅助讯号的读取操作。本发明的实施例可缩减元件的尺寸、增加电荷保存的期限以及增加与标准制程步骤之间的相容性。

主权项

1、一种内存晶胞，其特征在于其至少包括：一半导体基材；一位于该半导体基材中的隔离区域，其中该隔离区域包括深入至该半导体基材中的沟渠；至少部分环绕该沟渠的侧壁；至少一位于该隔离区域的该沟渠中的半导体结构；一位于该隔离区域的该沟渠中的介电层，且该介电层设置于该半导体结构与该侧壁之间；以及一位于该半导体基材上方的闸极结构。