[发明专利]液晶显示器的TFT阵列基板、液晶显示面板及其制作方法有效
申请号: | 200510056846.8 | 申请日: | 2005-03-22 |
公开(公告)号: | CN1652004A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 邱俊昌;徐文义 | 申请(专利权)人: | 广辉电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;H01L21/027;G03F7/20;G09F9/35 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种液晶显示器的薄膜晶体管TFT阵列基板,包括一基板;一栅极位于基板上;一栅极介电层覆盖基板与门(栅)极;一半导体层位于栅极介电层上,且半导体层包括一沟道;一源极电连接沟道一侧的部分半导体层;一漏极电连接沟道另一侧的部分半导体层,且漏极在正投影面不和栅极重叠。本发明所提供的TFT结构具有较小的耦合电容(Cgd),可改善公知技术的馈通效应(feed through effect)问题;此外,本发明另提供一遮光层可减少此种结构的因光照所产生漏电的问题。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 tft 阵列 液晶显示 面板 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示器的TFT阵列基板,其特征在于包括:一基板;一栅极,位于该基板上;一栅极介电层,覆盖所述基板及所述栅极;一半导体层,位于所述栅极介电层上,该半导体层包括一沟道;一源极,电连接所述沟道一侧的部分半导体层;及一漏极,电连接所述沟道另一侧的部分半导体层,且该漏极在正投影面不和所述栅极重叠。
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