[发明专利]用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途无效
| 申请号： | 200510056941.8 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1836896A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王天兴;曾中明;杜关祥;韩秀峰;洪桢敏;石高全 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B32B7/04 | 分类号： | B32B7/04 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜，包括自由磁性层、隔离层和被钉扎磁性层。该核心复合膜可以是仅隔离层为LB膜层；该隔离层为具有绝缘的、导电的、或有半导体性质的材料组成的有机LB膜。该核心复合膜也可以是所述的自由磁性层、隔离层和被钉扎磁性层均为LB膜层；其中被钉扎磁性层和自由磁性层为有磁性的材料组成的有机膜。该核心复合膜可以应用于磁电阻自旋阀传感器上，其可构成磁电阻自旋阀传感器的磁感应单元；也可用于磁电阻随机存取存储器上做为记忆单元。该核心复合膜可在大面积范围内保持均匀性和一致性，其工艺简单、成本低廉；且利用LB有机膜替代传统的隔离层和磁性层，使得器件更轻、更薄、更易加工和集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 多层 薄膜 核心 复合 及其 用途 | ||
【主权项】：
1、一种用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜，其包括自由磁性层、隔离层和被钉扎磁性层，所述的隔离层为LB膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510056941.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
