[发明专利]微机电热电制冷器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510056987.X | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1688033A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 廖波;孔德文;李娜 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/00 | 分类号： | H01L35/00;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 杨志兵 |
| 地址： | 100081北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够用于集成电路系统芯片制冷的微机电热电制冷器件。所述微机电热电制冷器件采用了双层的热电偶立体阶梯状结构，结构主要由硅片衬底、衬底一面上多晶硅薄膜条、隔离绝缘层、隔离层上面的多晶硅薄膜条、和衬底另一面的空腔构成。这种结构的好处在于，一是增加热电臂的空间分布密度，从而提高了单位体积上的功率，二是上层热电臂由于不与衬底接触而减少了热泄漏，提高了效率，另外阶梯状结构增大了截面积，提高了功率。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 热电 制冷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种微机电热电制冷器，包括单晶硅片衬底；硅片衬底上的一层氧化硅掩膜层；氧化硅掩膜层上的氧化硅绝缘层；氧化硅绝缘层上的组成俩对以上热电偶元件；一个双层热电偶元件由一个n型多晶硅薄膜条和一个p型多晶硅薄膜条组成，而n型多晶硅薄膜条和p型多晶硅薄膜条之间有一层氧化硅绝缘层；n型多晶硅薄膜条与p型多晶硅薄膜条通过金属电极连接以及单晶硅衬底另一面的空穴腔。其中氧化硅掩膜层是为了保护下面用KOH腐蚀形成热电堆的阶梯的，而多晶硅薄膜条在本发明中起到热电臂的作用。
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