[发明专利]一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法无效
| 申请号： | 200510057273.0 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1749153A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;谭开洲;冯建;李智囊;张正元;吴建 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子机械系统加工领域，特别是一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法。其包括以下步骤：1.准备原始硅片；2.在第一原始硅片上采用重复氧化方法，形成悬梁结构下面的氧化层图形；3.制作过渡多晶硅层；4.制作键合片、形成顶层硅；5.湿法释放悬梁结构。本发明方法克服了干法释放质量块时其质量块也要受到横向腐蚀的缺点，能获得较大的质量块，不需制作网状悬梁结构来满足释放条件，提高了传感器可动悬梁灵敏度，可以缩短梳妆质量块的长度和叉子个数，缩小传感器的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 传感器 悬梁 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS传感器悬梁结构的制造方法，其包括以下步骤：(1)准备原始硅片；(2)在第一原始硅片上采用重复氧化方法形成悬梁结构下面的氧化层图形；(3)制作过渡多晶硅层；(4)制作键合片，形成顶层硅；(5)湿法释放顶层硅，形成悬梁结构。
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