[发明专利]带有扩大绝缘层的磁头结构无效

专利信息
申请号: 200510058826.4 申请日: 2005-03-28
公开(公告)号: CN1677497A 公开(公告)日: 2005-10-05
发明(设计)人: 青木健一郎;星野敏规;中田敏幸;有贺敬治;前多宏志 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/187 分类号: G11B5/187;G11B5/60
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种磁头结构,具有线圈和使得由线圈产生的磁通量能够穿过其传播并且形成了磁隙的磁极。绝缘层围绕着线圈,并且保护层覆盖着绝缘层和磁极。绝缘层的体积等于或大于针对保护层厚度确定的值。最好随着保护层的厚度的增大,增加绝缘层的体积。通过增加绝缘层的体积,磁头滑块的浮置面在磁极附近的部分朝向盘的凸起得以减小。
搜索关键词: 带有 扩大 绝缘 磁头 结构
【主权项】:
1.一种磁头结构,包括:线圈;磁极,使得由线圈产生的磁通量能够穿过其传播,并且该磁极形成了磁隙;围绕着线圈的绝缘层;覆盖着绝缘层和磁极的保护层;其中绝缘层的体积等于或大于针对保护层厚度确定的值。
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