[发明专利]嵌入高电压横向扩散金属氧化物半导体的快闪存储器制程

摘要

本发明是有关于一种嵌入高电压横向扩散金属氧化物半导体的快闪存储器制程，提供一种建构周边元件并同时建构快闪记忆体的方法。于快闪记忆体区形成一具有第一隔离层以及多晶硅的薄层结构，此第一隔离层形成于基材之上，且多晶硅形成于第一隔离层之上。形成一罩幕层。在快闪记忆区以及周边区形成开口。进行区域氧化分别在多晶硅以及硅基材上的场氧化硅之上形成厚氧化硅。移除罩幕层。形成控制闸极以及闸极氧化硅于厚氧化硅以及多晶硅之上。形成一闸电极，此闸电极的至少一端位于场氧化硅之上使，可使建构完成的高电压LDMOS具有一较高的崩溃电压。然后形成快闪记忆单元与高电压LDMOS之间隙壁以及源极/汲极。

主权项

1、一种嵌入高电压横向扩散金属氧化物半导体的快闪存储器的制造方法，其特征在于其至少包括：形成一第一结构于一基材的一第一区域上，其中该第一结构包括一第一隔离层形成于该基材之上，以及一多晶硅图案形成于该第一隔离层之上；形成一第二隔离层于该基材的一第二区域上，该第二隔离层具有一开口形成于其上；形成一第一厚氧化硅于该多晶硅图案之上，以及同时形成一第二厚氧化硅于该第二隔离层中的该缺口内；以及形成一第一导电图案于至少一部份的该第一厚氧化硅之上，以及同时形成一第二导电图案于一部分的该第二隔离层之上，其中该第二导电图案的至少一端位于一部分的该第二厚氧化硅之上。