[发明专利]场发射显示器的电子发射源表面活化的方法无效
| 申请号： | 200510058963.8 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1838361A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陈国荣 | 申请（专利权）人： | 东元奈米应材股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，在阴极结构制作并高温烧结后，进行电子发射源表面活化制作。利用喷涂技术，该喷涂技术包括有喷涂装置，该喷涂装置利用高压空气将待喷涂的溶液均匀喷涂灌注在该阴极结构的表面上；此时该溶液将覆盖闸极电极层，并由穿孔及凹陷区域渗入电子发射源表面上，形成喷涂批覆层；再使其干燥成膜后，利用滚筒式脱膜装置进行脱膜处理。该滚筒式脱膜装置具有两滚筒，上述两滚筒中的一滚筒内具有加热单元，在滚压该阴极结构的批覆层时，该滚筒先对该批覆层进行加热软化，让另一滚筒可以轻易将批覆层剥除。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 显示器 电子 表面 活化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，用以活化电子发射源表面的方法，其特征在于，所述方法包括：a)先取烧结后的阴极结构；b)利用喷涂装置将溶液喷涂在所述阴极结构，以形成批覆层；c)待所述阴极结构上所形成的批覆层干燥后，利用脱膜装置将所述阴极结构表面的批覆层脱模，以移除阴极结构的电子发射源表面的残余碳材或有机氧化物。
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