[发明专利]绝缘膜成形方法、绝缘膜成形装置和等离子体膜成形装置无效

专利信息
申请号: 200510059146.4 申请日: 2005-03-21
公开(公告)号: CN1670913A 公开(公告)日: 2005-09-21
发明(设计)人: 佐佐木厚;东和文;井出哲也;中田行彦 申请(专利权)人: 株式会社液晶先端技术开发中心
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/31;G02F1/136
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 利用一种等离子体膜成形装置(1a)形成一个绝缘膜(101),该等离子体膜成形装置(1a)包括具有电磁波入射面F的真空容器(2)、制作在该真空容器(2)中的第一注气孔(42),以及在该真空容器(2)中制作的第二注气孔(52),该第二注气孔(52)比第一注气孔(42)更加远离该电磁波入射面F。例如,从离电磁波入射面F的距离小于10mm的位置将第一气体引入到该真空容器(2)中。从离该电磁波入射面的距离为10mm或更远的位置将包括有机硅化合物的第二气体引入到该真空容器(2)中。
搜索关键词: 绝缘 成形 方法 装置 等离子体
【主权项】:
1、一种使用等离子体膜成形装置的绝缘膜成形方法,该等离子体膜成形装置包括具有电磁波入射面的处理容器、布置在该处理容器中的第一气体引入开口,以及在该处理容器中的第二气体引入开口,该第二气体引入开口制作在比所述第一气体引入开口更加远离该电磁波入射面的位置处,所述绝缘膜成形方法的特征在于包括:从该处理容器中的所述第一气体引入开口输送用于产生等离子体的第一气体;以及从该处理容器中的所述第二气体引入开口输送第二气体,该第二气体包括有机硅化合物气体和有机金属化合物气体中的至少一种以及氧气和稀有气体中的至少一种。
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