[发明专利]绝缘膜成形方法、绝缘膜成形装置和等离子体膜成形装置无效
申请号: | 200510059146.4 | 申请日: | 2005-03-21 |
公开(公告)号: | CN1670913A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 佐佐木厚;东和文;井出哲也;中田行彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/31;G02F1/136 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 利用一种等离子体膜成形装置(1a)形成一个绝缘膜(101),该等离子体膜成形装置(1a)包括具有电磁波入射面F的真空容器(2)、制作在该真空容器(2)中的第一注气孔(42),以及在该真空容器(2)中制作的第二注气孔(52),该第二注气孔(52)比第一注气孔(42)更加远离该电磁波入射面F。例如,从离电磁波入射面F的距离小于10mm的位置将第一气体引入到该真空容器(2)中。从离该电磁波入射面的距离为10mm或更远的位置将包括有机硅化合物的第二气体引入到该真空容器(2)中。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 成形 方法 装置 等离子体 | ||
【主权项】:
1、一种使用等离子体膜成形装置的绝缘膜成形方法,该等离子体膜成形装置包括具有电磁波入射面的处理容器、布置在该处理容器中的第一气体引入开口,以及在该处理容器中的第二气体引入开口,该第二气体引入开口制作在比所述第一气体引入开口更加远离该电磁波入射面的位置处,所述绝缘膜成形方法的特征在于包括:从该处理容器中的所述第一气体引入开口输送用于产生等离子体的第一气体;以及从该处理容器中的所述第二气体引入开口输送第二气体,该第二气体包括有机硅化合物气体和有机金属化合物气体中的至少一种以及氧气和稀有气体中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造