[发明专利]集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200510059170.8 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1681124A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·A·安德森;杨美基;爱德华·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092;H01L27/12;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的是一种集成电路结构，含有一个至少两种类型晶向的衬底。第一类型的晶体管(例如NFET)形成在具有第一类型晶向的衬底第一部分上，以及第二类型的晶体管(例如PFET)形成在具有第一类型晶向的衬底第二部分上。一些衬底的第一部分包括非悬浮衬底部分，以及衬底的第一部分的剩余部分和衬底所有的第二部分包括悬浮衬底部分。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：衬底，含有至少两种类型晶向；第一类型晶体管，形成在含有第一类型晶向的所述衬底的第一部分上；以及第二类型晶体管，形成在含有第二类型晶向的所述衬底的第二部分上，其中所述衬底的所述第一部分中的选择的一些部分包括非悬浮衬底部分，以及所述第一部分的剩余部分和所有的所述衬底的第二部分包括悬浮衬底部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
