[发明专利]磁性存储单元以及制造磁性存储单元的方法有效
| 申请号： | 200510059171.2 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1713299A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·C·加蒂斯;菲利普·L·特罗伊鲁德;希瓦南达·K·卡纳卡萨巴帕西;戴维·W·亚伯拉罕 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L29/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在MRAM单元中，写入电流嵌入在低磁阻材料中，该低磁阻材料以几种方法中的一种来处理，以使得最接近存储元件的材料不能承载磁通，从而建立朝向存储元件集中磁通的马蹄形横截面。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 单元 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储单元，包括：磁性传感元件；写入元件，位于所述磁性传感元件上面、相对于所述磁性传感元件定向并且包括沿着轴放置的导体，所述导体具有面向所述传感元件的第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、以及连接所述第一和第二侧的两个连接侧；以及具有低于磁阻阈值的磁阻的至少一种磁性集中材料，与所述连接侧相邻放置，借此由所述导体中的电流产生的磁场由所述至少一种磁性集中材料集中并且指向所述磁性传感元件。
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