[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 200510059287.6 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1674298A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 中林幸雄;西之原一美;木下敦宽;古贺淳二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/786;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，包括：第一半导体区；绝缘地设置于第一半导体区域之上的栅极电极；其间夹有第一半导体区域的源极和漏极电极；第二半导体区，均被形成于第一半导体区域与源极和漏极电极之一之间、具有比第一半导体区域的杂质浓度更高的杂质浓度，在源极电极和漏极电极相对于沟道方向而相互分离的方向上，源极电极向栅极电极偏移，第二半导体区域之一具有这样的厚度，其不大于该第二半导体区域之一在沟道方向上被完全耗尽时的厚度，该第二半导体区域之一与源极电极处于热平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：第一半导体区，其形成沟道区；栅极电极，其绝缘地设置于该第一半导体区之上；源极电极和漏极电极，其间夹有该第一半导体区；和各第二半导体区，每个所述第二半导体区被形成于该第一半导体区与该源极电极和该漏极电极之一之间，具有比该第一半导体区的杂质浓度更高的杂质浓度，其中在该源极电极和该漏极电极相对于沟道方向而相互分离的方向上，该源极电极向该栅极电极偏移，以及位于该源极电极附近的所述第二半导体区之一具有这样的厚度，其不大于该所述第二半导体区之一在该沟道方向上被完全耗尽时的厚度，其中该源极电极与该所述第二半导体区之一处于热平衡。
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