[发明专利]钇钡铜氧单畴超导块的多籽晶制备方法有效
| 申请号： | 200510059329.6 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1837417A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 肖玲;任洪涛;焦玉磊;郑明辉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/22 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种钇钡铜氧单畴超导块的多籽晶制备方法，该方法包括下述步骤：(1)采用Y1.8Ba2.4Cu3.4Oy的粉末制备预成型块；(2)通过熔融织构和顶部籽晶的方法生长c轴取向的单畴结构SmBaCuO块，并定向切割即得到SmBaCuO籽晶，使籽晶的a、b轴沿正方形薄片的两条边，c轴沿薄片的厚度方向；(3)将若干个SmBaCuO籽晶以a、b轴组成的面且等间距放置在预成型块的顶表面上，置入加热炉中，快速升温至1040℃～1045℃，保温1～2h后快速降温至1012℃～1017℃，然后以每小时0.1～1℃的速率降温至975～985℃，随后炉冷至室温，即制成钇钡铜氧单畴超导块。还可以采用(Y1－xGdx)1.8Ba2.4Cu3.4Oy的粉末制备过渡层。本发明的方法，可以在较短的时间内生长出具有较大尺寸的YBaCuO单畴超导块。 | ||
| 搜索关键词： | 钇钡铜氧单畴 超导 籽晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种钇钡铜氧单畴超导块的多籽晶制备方法，其特征在于：该方法包括下述步骤：(1)、采用Y1.8Ba2.4Cu3.4Oy的粉末制备预成型块；(2)、通过熔融织构和顶部籽晶的方法生长c轴取向的单畴结构SmBaCuO块，并定向切割即得到SmBaCuO籽晶，使籽晶的a、b轴沿正方形薄片的两条边，c轴沿薄片的厚度方向；(3)、将若干个SmBaCuO籽晶以a、b轴组成的面且等间距放置在预成型块的顶表面上，置入加热炉中，快速升温至1040℃～1045℃，保温1～2h后快速降温至1012℃～1017℃，然后以每小时0.1～1℃的速率降温至975～985℃，随后炉冷至室温，即制成钇钡铜氧单畴超导块。
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