[发明专利]一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法无效
申请号: | 200510059359.7 | 申请日: | 2005-03-28 |
公开(公告)号: | CN1674103A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
发明(设计)人: | 竺云;蔡建旺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/84 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 尹振启 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于FePt磁性层的磁记录介质,包括基片(1)、FePt磁性层(3)和保护层(4),磁记录介质还包括AuCu合金缓冲层(2),该AuCu合金缓冲层设于所述基片和所述FePt磁性层之间;本发明提供一种基于FePt磁性层的磁记录介质,该磁记录介质的磁性层为等原子比或接近等原子比的FePt合金,通过添加了特殊的缓冲层,在磁性层厚度很薄的情况下,仍然可以大大降低有序化温度;FePt磁性层实现了信息的高密度记录;在磁性层上覆盖一层薄的保护层,一方面可以保护磁性层,另一方面可以达到更好的平整度以及润滑的作用。制备这种磁记录介质的方法简单、重复且稳定,非常适合实际操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 fept 磁性 记录 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于FePt磁性层的磁记录介质,包括基片(1)、FePt磁性层(3)和保护层(4),其特征在于:所述磁记录介质还包括AuCu合金缓冲层(2),该AuCu合金缓冲层(2)设于所述基片(1)和所述FePt磁性层(3)之间。
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