[发明专利]测量占空比的方法无效
| 申请号： | 200510059369.0 | 申请日： | 2005-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1677639A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 洛尔·J·贝尔欧 | 申请（专利权）人： | 泰瑞达公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种测量占空比的方法，该方法快到足以能够在制造过程中对半导体元件的占空比进行测量。使用数字通道中的比较在信号周期中以多点感测输入信号的状态。测试仪内的失败处理电路被用于对输入信号为逻辑HI状态的样本的数量进行计数。该值被采用的样本的总数所调整，从而产生指示信号占空比的单一数字。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 方法 | ||
【主权项】：
1、一种测量信号时间间隔的占空比方法，其特征在于其包括以下步骤：a)提供作为信号时间间隔重复的一个输入信号；b)在相对于一重复的时间间隔之起始点所控制的时间中，将该输入信号值与一个门限值进行多个比较，进行该多个比较包括改变该控制时间；以及c)基于一比较值在相对于该门限值的一预定范围内的比较的数量计算占空比。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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