[发明专利]半导体激光器装置和它的制造方法无效
| 申请号： | 200510059393.4 | 申请日： | 2005-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1677784A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 别所靖之;畑雅幸;井上大二朗 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在蓝紫色半导体激光元件的绝缘膜上，并且在第一p侧衬垫电极的两侧，形成第二和第三p侧衬垫电极。第二p侧衬垫电极和第三p侧衬垫电极分别离间形成。在第二和第三p侧衬垫电极的上面侧，分别形成焊锡膜。红色半导体激光元件的第四p侧衬垫电极经焊锡膜接合在第二p侧衬垫电极上。另外，红外半导体激光元件的第五p侧衬垫电极经焊锡膜接合在第三p侧衬垫电极上。因为第二和第三p侧衬垫电极彼此离间形成，所以第四和第五p侧衬垫电极分别电分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器装置，其特征在于，具备：第一半导体激光元件，在第一基板上具有射出第一波长光的第一半导体层；第二半导体激光元件，在第二基板上具有射出第二波长光的第二半导体层；和第三半导体激光元件，在第三基板上具有射出第三波长光的第三半导体层，所述第一、第二和第三波长各不相同，所述第二和第三基板的至少一个由与所述第一基板不同的材料形成，所述第一半导体激光元件在一面侧具有一方电极，所述第二半导体激光元件在一面侧具有一方电极，所述第三半导体激光元件在一面侧具有一方电极，所述第二半导体激光元件的一方电极和所述第三半导体激光元件的一方电极经绝缘膜接合于所述第一半导体激光元件的一面侧，所述第一半导体激光元件的一方电极、所述第二半导体激光元件的一方电极和所述第三半导体激光元件的一方电极彼此电分离。
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