[发明专利]颗粒薄膜、使用该薄膜的垂直磁记录介质和磁记录设备无效
| 申请号： | 200510059472.5 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1674104A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 及川壮一;岩崎刚之;前田知幸;喜喜津哲 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/73;G11B5/738;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 获得适于达到低噪声高磁记录密度的垂直磁记录介质。该介质具有小平均磁颗粒直径，小磁颗粒直径分布，高垂直结晶磁颗粒取向和高规则性磁颗粒排列。垂直磁记录介质包括衬底上的软磁层，颗粒底层和垂直磁记录层。在金属底层上形成颗粒底层。颗粒层中的金属颗粒被非磁性颗粒间材料分隔，并且部分穿入到金属底层中。在颗粒层上形成垂直磁记录层。于是垂直磁记录介质表现出高信噪比和极好的高密度记录特性。 | ||
| 搜索关键词： | 颗粒 薄膜 使用 垂直 记录 介质 设备 | ||
【主权项】：
1.一种颗粒薄膜，包括：衬底；衬底上的金属底层；和金属底层上的颗粒层，其中颗粒层包括部分穿过体而进入金属底层的金属颗粒，和分隔金属颗粒的颗粒间材料，颗粒间材料包括从包括氧化物，氮化物和碳化物的组中选择的至少一种。
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