[发明专利]用于创建等离子体处理系统的数学模型的方法和阵列有效
| 申请号： | 200510059838.9 | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1684224A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 赛义德·贾法·贾法里安－德黑兰尼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01J37/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于创建等离子体处理系统的简化的等效电路模型的方法，该模型包括电气测量装置、下电极、上电极、以及信号发生器装置。该方法包括创建简化的等效电路方程，其包括等离子体处理系统的变量集，其中，电气测量装置包括第一变量子集，下电极包括第二变量子集，上电极包括第三变量子集，以及信号发生器装置包括第四变量子集。该方法还包括产生一组信号，该组信号中的每个信号都在不同频率生成，其中，信号发生器装置连接至电气测量装置、下电极、以及上电极。该方法还包括用电气测量装置测量该组信号，其中，生成至少一个测量的信号用于该变量集中的每个变量；以及，创建来自该组信号的简化的等效电路模型。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 创建 等离子体 处理 系统 数学模型 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.在等离子体处理系统中，创建等离子体处理系统的简化的等效电路模型的方法，所述电路模型包括电气测量装置、下电极、上电极、以及信号发生器装置，所述方法包括：创建所述等离子体处理系统的简化的等效电路方程，其包括变量集，其中，所述电气测量装置包括第一变量子集，所述下电极包括第二变量子集，所述上电极包括第三变量子集，以及所述信号发生器装置包括第四变量子集；生成第一组信号，所述第一组信号中的每个信号均以不同频率生成，其中，所述信号发生器装置连接至所述电气测量装置、所述下电极、以及所述上电极；用所述电气测量装置测量所述第一组信号，其中，为所述变量集中的每个变量生成至少一个测量的信号；创建来自所述第一组信号的简化的等效电路模型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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