[发明专利]具有嵌入式晶体管的有源像素无效
| 申请号： | 200510060038.9 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1681130A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 何新平 | 申请（专利权）人： | 豪威科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335;H04N1/028 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 戴建波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将1/f噪声最小化的、适用于图像传感器的有源像素，其包括具有“体电流”晶体管结构的放大晶体管，以将产生1/f噪声的表面氧化层陷阱的影响减至最小。此外，该有源像素的复位晶体管、行选择晶体管和/或传输晶体管也可以采用“体电流”晶体管的结构，以进一步降低1/f噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 晶体管 有源 像素 | ||
【主权项】：
1、一种有源像素301，其包括：形成于半导体衬底上的感光元件101；与所述感光元件101电通信的传感节点，以输出所述感光元件101所产生的信号；由所述传感节点所控制的放大晶体管303，其中，所述的放大晶体管303是形成于所述半导体衬底上的嵌入式晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
