[发明专利]非易失性半导体存储器有效

专利信息
申请号: 200510060072.6 申请日: 2005-03-31
公开(公告)号: CN1677572A 公开(公告)日: 2005-10-05
发明(设计)人: 河合贤;圆山敬史 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 构成电压变换开关电路(17)的多个开关供给有多种电压,且被设置成与多个行解码器(2)相对应,以便于每一开关可以分别选择该多种电压中的任意一种并将其输出到相应的行解码器(2)。电压升压电路(7,8)通过升压电源电压来产生该多种电压。调整器电路(9)降低由电压升压电路(7,8)产生的多种电压中的至少一种以稳定电压值,并将最终的电压输出到每一开关。每一行解码器(2)通过利用从相应的开关输出的电压来选择存储单元。因此,能够减少编程/程序校验操作所需的时间同时减小功耗。
搜索关键词: 非易失性 半导体 存储器
【主权项】:
1、一种非易失性半导体存储器,包括:存储单元阵列,在该阵列中,将多个存储单元按照矩阵形式设置并将其划分成多个扇区;多个行解码器电路,将所述多个行解码器电路中的每一个行解码器电路设置成使其与该存储单元阵列的每一扇区相对应,用于根据外部输入的地址信号来选择包含于相应扇区中的存储单元;多个开关,其被设置成使其与所述多个行解码器电路相对应,从而使得每一开关可用于分别选择向其供给的多种电压中的任意一种并将该任意一种电压向相应的行解码器电路输出;电压升压电路,用于通过升压电源电压来产生多种电压;和调整器电路,用于逐步降低通过该电压升压电路产生的多种电压中的至少一种,以稳定电压值,并将最终的电压输出到该每一个开关,其中该行解码器电路通过利用从相应开关输出的电压来选择存储单元。
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