[发明专利]发光器件、制作方法及电子装置有效
| 申请号： | 200510060158.9 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1674733A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 村上智史;坂倉真之 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H05B33/08;H05B33/12;H05B33/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供用于制作能减少由于在制作发光器件中造成的静电电荷而引起的元件劣化的发光器件的一种方法。本发明的另一目的，是提供一种发光器件，在这种器件中由于被静电电荷造成的元件劣化引起的缺陷被减少。用于制作发光器件的方法包括制作用于驱动发光元件的顶栅型晶体管的步骤。在形成顶栅型晶体管的步骤中，当在加工半导体薄层时，在基底上形成以行和列延伸的第一似栅格的半导体薄层。在第一半导体薄层之间形成多个第二似岛的半导体薄层。多个第二似岛的第二半导体薄层起着晶体管的有源层的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作发光器件的方法，包括形成用于驱动发光元件的顶栅型晶体管的步骤，其中在基底上形成以行和列延伸的第一似栅格的半导体薄层，以及在该第一似栅格的半导体薄层之间形成多个第二似岛的半导体薄层。
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