[发明专利]多层陶瓷电容器无效
申请号: | 200510060174.8 | 申请日: | 2005-03-31 |
公开(公告)号: | CN1677587A | 公开(公告)日: | 2005-10-05 |
发明(设计)人: | 室泽贵子;宫内真理;野口和则;佐藤阳 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郭煜;庞立志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种多层陶瓷电容器1,其具有内部电极层3和厚度小于2μm的电介体层2,其特征在于,上述层间电介体层2含有多个电介体粒子2a而构成,以上述层间电介体层2中的电介体粒子2a全体的粒度分布的标准偏差为σ(无单位)、以上述层间电介体层2中的电介体粒子2a全体的平均粒径为D50(单位:μm),此时的具有该D50的2.25倍以上的平均粒径的电介体粒子(粗粒)在上述电介体粒子2a全体中存在的比率用p(单位:%)表示时,上述σ、p分别满足σ<0.130、p<12%。通过本发明,能够提供即使对层间电介体层2实施薄层化也有望提高各种电特性、特别是既具有充分的介电常数又提高TC偏压特性的多层陶瓷电容器1。 | ||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电容器 | ||
【主权项】:
1.一种多层陶瓷电容器,其具有内部电极层和厚度小于2μm的电介体层,其中,上述电介体层含有多个电介体粒子而构成,上述电介体层中的电介体粒子全体的粒度分布的标准偏差用σ(无单位)表示时,上述σ满足σ<0.130。
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