[发明专利]磁阻效应元件、磁头及磁记录装置无效
| 申请号： | 200510060177.1 | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1767001A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 长坂惠一;清水丰;田中厚志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁阻效应元件，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁头 记录 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，包括：晶体材料的第一电极层；导电非晶材料的第一基层，形成在该第一电极层之上；晶体材料的反铁磁层，形成在该第一基层之上；第一铁磁层，形成在该反铁磁层之上，并且具有由该反铁磁层所限定的磁化方向；非磁性中间层，形成在该第一铁磁层之上；第二铁磁层，形成在该非磁性中间层之上，具有随外界磁场改变的磁化方向；以及第二电极层，形成在该第二铁磁层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510060177.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：离合器从动盘粉末冶金中心盘毂及其制备方法
- 下一篇：目标行进方向检测方法
