[发明专利]液相基底表面新型金属薄膜的制备技术

摘要

一种在液相基底表面生长金属薄膜的技术，其特征是以饱和蒸气压小于真空蒸发气压的液相材料为基底，采用磁控浅溅射或热蒸镀方法，用高速运动的氩离子或被电流加热后的钨丝的能量使金属原子蒸发，然后被蒸发的金属原子沉积到液相基底表面，再通过扩散、成核、旋转、凝聚，生长成晶粒结构(多晶)金属薄膜，制备工艺简单，成本低，所生长的薄膜具有独特的微观结构，薄膜中晶粒尺寸从10¹～10²nm可调，且分布均匀。薄膜上下表面形貌呈粗糙分维结构，分形维数D≈2.2，薄膜中基本无内应力。

主权项

1、一种液相基底表面新型金属薄膜的制备技术，其特征是以饱和蒸汽压低于真空室内气压的液相材料为基底，采用磁控溅射或热蒸镀方法，用高速运动的氩离子或被电流加热后的钨丝的热能使金属原子蒸发，然后被蒸发的金属原子沉积到液相基底表面，再通过扩散、成核、旋转、凝聚，生长成具有多晶结构的金属薄膜，工艺步骤如下：a、清洗磨毛载玻片，在其上涂抹一层厚度为0.1～0.2mm的液相材料，作为液相基底。然后将载玻片装入真空蒸发装置的衬底架上，液面朝向蒸发源，用挡板隔离基底和蒸发源；b、用机械泵和分子泵抽真空室至1×10-4Pa～6×10-4Pa的真空度；c、加热液相基底使之温度在5～50℃之间，此时液相材料的蒸汽压低于真空室内的气压；d、微加热不同金属蒸发源的材料使之除气3分钟后，增加钨丝电流或溅射功率至金属材料开始蒸发，待蒸发速率稳定后打开挡板开始生长金属薄膜，采用晶振测厚仪和挡板控制薄膜生长的速率和膜厚；e、当金属薄膜生长到一定厚度时，切断蒸发源的电源，结束生长，待分子泵停转后，向真空室内缓缓充入大气，取出样品；f、用平整玻璃表面粘附薄膜的方法进行脱膜，获得磁性或非磁性金属薄膜。