[发明专利]一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200510060565.X | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1731590A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的多晶锗硅肖特基二极管包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。制作步骤如下：先在硅衬底上生长一层二氧化硅层，接着蒸镀一层金属镍，在镍上生长多晶锗硅层，涂光刻胶，并光刻，用锗硅选择性腐蚀溶液将未被光刻胶覆盖的锗硅腐蚀掉，最后蒸镀势垒金属层。本发明的多晶锗硅肖特基二极管中的镍或钴硅化物具有低的薄层电阻，它们能够与多晶锗硅形成欧姆接触，因而可以使肖特基二极管器件的电流方向与多晶锗硅的晶粒生长方向一致，减少晶界等缺陷对器件性能的影响，从而能够有效的提高器件的整流比以及降低反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 锗硅肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.多晶锗硅肖特基二极管，其特征在于包括自下而上依次迭置的硅衬底(1)、二氧化硅层(2)、镍硅化物或钻硅化物层(3)、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层(3)上面的多晶锗硅层(4)与欧姆接触电极(6)以及迭在多晶锗硅层(4)上面的势垒金属层(5)。
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