[发明专利]用于纳米光子技术的聚合物上硅纳米膜制备方法无效
| 申请号： | 200510061546.9 | 申请日： | 2005-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1794021A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 杨建义;肖思淼;王帆;李广波;江晓清;王明华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/132;G03F7/00;B05D1/00;C23C16/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于纳米光子技术的聚合物上硅纳米膜制备方法。将具有数百到数纳米厚度的绝缘体上硅片和衬底片进行清洗后烘干；在绝缘体上硅片的顶层硅一侧上涂敷一层聚合物光隔离层，并与衬底片粘合；去除粘合后的绝缘体上硅片的底层硅，获得单晶硅纳米膜。本发明制备的纳米膜厚度均匀性高；材料的光下限制层有足够的厚度可以实现光隔离，可进行纳米尺寸硅光子器件研制；可根据实际器件制作过程中的需要，在绝缘体上硅片和衬底片的键合面上进行预处理，设置电极，实现特定图案等；整个制备过程可仅采用涂敷、粘合、湿法腐蚀等简单的工艺过程，降低对设备的要求；可结合硅材料的特性和聚合物材料的特性，研究和开发相关的纳米光子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 光子 技术 聚合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于纳米光子技术的聚合物上硅纳米膜制备方法，其特征在于：该方法采用的步骤如下：(1)将具有数百到数纳米厚度的绝缘体上硅片和衬底片进行清洗后烘干；(2)在绝缘体上硅片的顶层硅一侧上涂敷一层聚合物光隔离层，并与衬底片粘合；(3)去除粘合后的绝缘体上硅片的底层硅。
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