[发明专利]用于生物阻抗检测的点阵电极无效

专利信息
申请号: 200510061787.3 申请日: 2005-12-02
公开(公告)号: CN1803090A 公开(公告)日: 2006-07-19
发明(设计)人: 李江 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: A61B5/053 分类号: A61B5/053
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种用于生物阻抗检测的点阵电极,它包括电极、金属氧化物半导体场效应管、引线。电极呈点阵排列,每个电极与一到两个金属氧化物半导体场效应管或者薄膜晶体管相连。使用时将它黏附在需要检测阻抗的生物体表面,通过外部的控制信号,它能够输出点阵中任意一个电极的信号,扫描每一个电极,就可以获得生物体表面的阻抗分布。由于使用软性衬底,它可以很好地粘贴在具有复杂弯曲表面的生物体表面。
搜索关键词: 用于 生物 阻抗 检测 点阵 电极
【主权项】:
1、用于生物阻抗检测的点阵电极,其特征在于:包括电极(Dij)、金属氧化物半导体场效应管(Tij、T’ij)、引线(Rj、Gi、Gi),其中i=1,2,3,…,s;j=1,2,3,…,t;电极呈点阵排列,共有s×t个;第i行第j列的电极(Dij)分别与一个P沟道金属氧化物半导体场效应管(Tij)和一个N沟道MOSFET(T’ij)的源极连接;位于第i行的P沟道MOSFET(Ti1、Ti2、…、Tij、…、Tit)的底衬均和正电源(Vcc)连接,位于第i行的P沟道MOSFET(Ti1、Ti2、…、Tij、…、Ti)的栅极均相连并形成引线(Gi);位于第i行的N沟道MOSFET(T’i1、T’i2、…、T’ij、…、T’it)的底衬均和地(GND)连接,位于第i行的N沟道MOSFET(T’i1、T’i2、…、T’ij…、T’it)的栅极均相连并形成引线(Gi);位于第j列的MOSFET(T1j、T’1j、T2j、T’2j、…、Tij、T’ij…、Tsj、T’sj)的漏极均相连并形成引线(Rj)。
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