[发明专利]重掺p型硅与二氧化钛复合的高氧敏结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200510062399.7 | 申请日： | 2005-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1821765A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;张海芳;张爱芳;翁文剑;韩高荣;赵高凌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;H01L49/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重掺p型硅与二氧化钛复合的高氧敏结构及其制备方法。本发明的氧敏薄膜是以重掺p型硅为基板或在镀有重掺p型硅薄膜层的基板上，靠近p型硅薄膜层的外侧浸渍涂覆二氧化钛薄膜。该氧敏薄膜的制备过程包括前驱体溶液的配制，溶液溶胶化，基片上浸渍提拉涂膜及薄膜的热处理。薄膜的氧敏性能在150℃～300℃下测得。铁掺杂量在4％～6％(摩尔百分比)时，二氧化钛薄膜中的金红石相含量最高，氧敏性最高，氧气氛前后薄膜电阻率变化达220倍。该发明利用铁掺杂二氧化钛氧敏薄膜和重掺p型硅结合，成功降低了氧敏二氧化钛薄膜材料的工作温度，制备工艺简单，性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 复合 高氧敏 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种重掺p型硅与二氧化钛复合的高氧敏结构，其特征在于：重掺p型硅基板(1)上浸渍涂覆二氧化钛薄膜(2)。
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