[发明专利]制造金属凸块的方法无效
| 申请号： | 200510062420.3 | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1841667A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 刘美贞;赖昱廷;李光兴;董明宗 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 何秀明;李晓舒 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造金属凸块的方法，该方法包括下列步骤：提供一表面包括一保护层的基底，且保护层暴露出至少一个接合垫金属表面，接着形成一光阻层覆盖于基底表面，然后进行一光刻处理过程将光阻层图案化以暴露出部分保护层和接合垫金属，再移除部分保护层，最后移除光阻层并进行一金属凸块化处理过程。本发明可使覆盖在接合垫金属表面的保护层的厚度小于覆盖在基底表面的保护层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造金属凸块的方法，该方法包括下列步骤：提供一基底，该基底表面包括至少一个接合垫金属，以及一图案化的保护层，覆盖于基底表面并暴露出该接合垫金属的部分表面；形成一第一光阻层，覆盖在基底表面；利用一光罩进行一光刻处理过程图案化该第一光阻层，以暴露出部分保护层和接合垫金属；移除部分保护层，使得覆盖在接合垫金属表面的保护层的厚度小于覆盖在基底表面的保护层的厚度；移除第一光阻层；以及利用该光罩进行一金属凸块化处理过程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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