[发明专利]超级结半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510062456.1 | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1677692A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 三浦喜直;二宫仁 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L29/73;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高耐压性和低电阻率，同时成功地缩小其尺寸的超级结半导体元件，该超级结半导体元件包括半导体衬底(3)；分别在半导体衬底(3)的顶面(12)和背面(13)上提供的一对电极(1、2)；在所述半导体衬底的顶面(12)和背面(13)之间提供的并列pn层，该pn层具有交替排列在其中的在导通状态下允许电流流动但在断开状态下被耗尽的n型半导体层(4)和p型半导体层(5)；以及形成为围绕并列pn层的绝缘膜(6)；其中绝缘膜(6)形成在预定位置。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超级结半导体元件，包括：半导体衬底；分别在所述半导体衬底的顶面和背面上提供的一对电极；在所述半导体衬底的顶面和背面之间提供的并列pn层，其在导通状态下允许电流流动但在断开状态下被耗尽，并且具有在其中交替排列的第一导电类型漂移区和第二导电类型分隔区；在所述半导体衬底上形成的绝缘膜，从而围绕所述并列pn层；以及形成为覆盖所述绝缘膜的至少一部分的场电极；其中在并列pn层侧上的所述绝缘膜的端部布置在所述第二导电类型分隔区的最外面的分隔区中，或者布置在当所述最外面的分隔区被完全耗尽时形成的所述最外面的分隔区附近的所述第一导电类型漂移区的耗尽区中。
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