[发明专利]沉积方法与半导体器件无效
| 申请号： | 200510062521.0 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1677625A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 盐谷喜美;下田春夫;前田和夫 | 申请（专利权）人： | 半导体工程研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;H01L21/768;C23C16/42 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;张浴月 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沉积方法，其中绝缘膜覆盖主要由铜膜制成的布线，并具有低介电常数。在沉积气体被转换成等离子体并促使反应发生以形成具有低介电常数的绝缘膜的沉积方法中，其组成为：该沉积气体具有第一含硅化合物及第二含硅有机化合物作为主要组成气体，该第一含硅化合物具有环硅氧烷键以及甲基和甲氧基至少二者之一，而该第二含硅有机化合物具有直链硅氧烷键及甲基和甲氧基至少二者之一。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种沉积方法，其中，沉积气体被转换成等离子体，并促使发生反应，以形成具有低介电常数的绝缘膜，其中，所述沉积气体的主要组成气体包括：第一含硅化合物，其具有环硅氧烷键，及甲基和甲氧基至少二者之一；以及第二含硅有机化合物，其具有链硅氧烷键，及甲基和甲氧基至少二者之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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