[发明专利]半导体存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510062530.X | 申请日： | 2005-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1677573A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 菅原宽 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器，包括多个存储器部分(9)；以及多个备用存储器部分(19)。存储器部分(9)包括：主单元阵列(7)，其包括存储单元(29)；第一参考单元(3)，其以非易失状态存储第一参考数据；以及第一读出放大器(5)，其根据第一参考单元(3)的第一状态和第二状态读出存储单元(29)的第一状态。存储单元(29)以非易失状态存储数据。备用存储器部分(19)包括：备用单元阵列(17)，其包括作为存储单元(29)的备用的备用单元(39)；第二参考单元(13)，其以非易失状态存储第二参考数据；以及第二读出放大器(15)，其根据第二参考单元(13)的第三状态和第四状态读出备用单元(29)的第三状态。使用备用存储器部分(19)替换第一参考单元(3)上具有缺陷的存储器部分(9)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：多个存储器部分；以及多个备用存储器部分，其中所述多个存储器部分中的每个存储器部分都包括：包括多个存储单元的主单元阵列，所述多个存储单元中的每个存储单元都以非易失状态存储数据，第一参考单元，其以非易失状态存储第一参考数据，以及第一读出放大器，其根据所述第一参考单元的第一状态和第二状态读出多个存储单元中的所述每个存储单元的所述第一状态，所述多个备用存储器部分中的每个备用存储器部分包括：作为所述主单元阵列的备用提供的备用单元阵列，其包括作为所述多个存储单元的备用的多个备用单元，第二参考单元，其以非易失状态存储第二参考数据，以及第二读出放大器，其根据所述第二参考单元的第三状态和第四状态读出多个备用单元中的所述每个备用单元的所述第三状态，用所述多个备用存储器部分中的一个备用存储器部分替换所述多个存储器部分中的一个存储器部分，所述多个存储器部分中的所述一个存储器部分是在所述第一参考单元上具有缺陷的缺陷存储器部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510062530.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：呼叫中断补偿系统
- 下一篇：电镀内应力测量程序和电镀内应力测量系统
