[发明专利]涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质无效
| 申请号： | 200510062693.8 | 申请日： | 2005-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1681008A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 滨口优;津森俊宏;新谷尚史 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667;G11B5/73;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶Si基片，在其上形成和Si单晶基片具有良好粘附性的一个或多个金属膜，使得粘附性得到保证。更为具体的说，提供表面处理的基片，该基片包括具有1－100Ω·cm的体电阻系数的单晶Si基片，以及在单晶Si基片上的至少一个金属电镀层。面对单晶Si基片的该金属电镀层优选地包括从由Ag、Co、Cu、Ni、Pd、Fe和Pt组成的组中选择的至少一个金属。另外，提供了包括涂覆有金属电镀层的单晶Si基片的垂直磁记录介质。 | ||
| 搜索关键词： | 涂覆有 金属 镀层 单晶硅 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种表面处理的Si基片，其包括：单晶Si基片，其具有1-100Ω·cm的体电阻系数，以及至少一个金属电镀层，将其设置在Si基片处或在Si基片之上。
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