[发明专利]半导体基板、半导体装置、及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200510062754.0 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1674222A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 高藤裕;福岛康守;守口正生 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L27/10;H01L29/00;G02F1/136;G09F9/30;G09G3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体基板具有：单晶Si基板，具有包含沟道区、源区和漏区的活性层，不具有阱结构和沟道截止区；栅绝缘膜，形成在上述单晶Si基板上；栅电极，形成在上述栅绝缘膜上；LOCOS氧化膜，形成在上述活性层的周围的上述单晶Si基板上，膜厚比上述栅绝缘膜的膜厚厚；以及绝缘膜，形成在上述栅电极和LOCOS氧化膜上。由此，提供一种半导体基板、半导体装置和它们的制造方法，在大型绝缘基板上形成非单晶Si半导体元件和单晶Si半导体元件而制造集成了高性能系统的半导体装置的情况下，能简化单晶Si部分的制造工序，且在转印到大型绝缘基板上后，不用高精度的光刻蚀法就能实现微细的单晶Si半导体元件的元件分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板，其特征在于，具有：单晶Si基板，具有包含沟道区、源区和漏区的活性层，包含不具有阱结构和沟道截止区的器件结构的至少一部分；栅绝缘膜，形成在上述单晶Si基板上；栅电极，形成在上述栅绝缘膜上；LOCOS氧化膜，形成在上述活性层的周围的上述单晶Si基板上，膜厚比上述栅绝缘膜的膜厚厚；以及绝缘膜，形成在上述栅电极和LOCOS氧化膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
