[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明的半导体存储器件包含：通过在第一导电类型的半导体衬底内注入第二导电类型杂质而形成的多个位线；位线上的厚绝缘膜；相邻位线之间的薄绝缘膜；以及在厚绝缘膜及薄绝缘膜上形成的、与位线交叉的多个字线；其中：每个字线包含多个第一导体以及串联电连接这些第一导体的第二导体；各个第一导体形成于薄绝缘膜上；厚绝缘膜的最厚部分的顶面高于第一导体的顶面，而且厚绝缘膜的膜厚度被制成向端部减小。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：通过在第一导电类型的半导体衬底内注入第二导电类型杂质而形成的多个位线；在所述位线上的厚绝缘膜；在相邻的位线之间的薄绝缘膜；以及在所述厚绝缘膜及所述薄绝缘膜上形成的、与所述位线交叉的多个字线，其中：每个字线包含多个第一导体以及串联电连接所述第一导体的第二导体；各个第一导体均形成于所述薄绝缘膜上；所述厚绝缘膜的最厚部分的顶面高于所述第一导体的顶面，而且所述厚绝缘膜的膜厚度被制成向端部减小。