[发明专利]确定光刻装置的投影系统的像差的方法有效
申请号: | 200510062763.X | 申请日: | 2005-03-25 |
公开(公告)号: | CN1673874A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
发明(设计)人: | J·J·M·巴塞曼斯;H·V·科克 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G01J9/00;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;张志醒 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种用于确定光刻装置的投影系统的像差的方法,该方法包含,投影参考测试图案,投影第二测试图案,测量所述参考测试图案与所述第二测试图案的所得图像中的物体之间的相对偏移,以及使用所述测量结果确定关于该投影系统的像差的信息,其中当使该第二测试图案成像从而选择通过该投影系统的特殊辐射路径时使用了滤光器,并且其中对于在沿着光轴彼此之间存在偏移的平面上获得的第二测试图案的多个图像都执行该测量。 | ||
搜索关键词: | 确定 光刻 装置 投影 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于确定光刻装置的投影系统的像差的方法,包含:在该光刻装置中投影参考测试图案;在该光刻装置中投影第二测试图案;测量所述参考测试图案与所述第二测试图案的所得图像中的物体之间的相对偏移;以及使用所述测量结果,确定关于该投影系统的像差的信息,其中投影该第二测试图案包含进行滤光从而选择通过该投影系统的特殊辐射路径;以及其中对于在沿着光轴彼此之间存在偏移的平面上获得的第二测试图案的多个图像都执行该测量。
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