[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510062802.6 | 申请日： | 2005-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1655351A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 梶田明広 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 臧霁晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，具有通过改变熔丝元件的电阻来控制其功能的熔丝元件，该熔丝元件即使进行激光照射也不熔断熔丝，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上方的第1布线层；形成于所述第1布线层上方的第2布线层；将所述第1布线层和第2布线层间进行连接的至少一个作为熔丝元件的栓塞；以及在形成于所述第2布线层上方的一部分绝缘膜中与所述栓塞对应设置的开口部。而且，包含可以通过向所述开口部照射激光而在所述栓塞内形成的空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上方的第1布线层；形成于所述第1布线层上方的第2布线层；将所述第1布线层和第2布线层间进行连接的至少一个作为熔丝元件的栓塞；以及在形成于所述第2布线层上方的一部分绝缘膜中与所述栓塞对应设置的开口部。
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